NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS
READ CYCLE
SEE NOTE 1
WRITE CYCLE 1
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8 AND 12
WRITE CYCLE 2
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8 AND 13
5 of 9
DS1220Y
相关PDF资料
DS1225AB-70+ IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP
DS1225Y-200+ IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP
DS1230WP-150+ IC NVSRAM 256KBIT 150NS 34PCM
DS1230YP-100+ IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM
DS1245AB-120IND+ IC SRAM NV 128KX8 5.25V 32-DIP
DS1245W-100IND+ IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32DIP
DS1245Y-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT 70NS 32DIP
DS1249AB-85IND# IC NVSRAM 2048KBIT 85NS 32DIP
相关代理商/技术参数
DS1220Y-120 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:16k Nonvolatile SRAM
DS1220Y-120+ 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:RAM NV 16K-120NS LEAD FREE - Rail/Tube
DS1220Y-120-IND 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
DS1220Y-150 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1220Y-150+ 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1220Y-150-IND 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
DS1220Y-200 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1220Y-200+ 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube